鹏城半导体技术（深圳）有限公司作为一家半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造集一体的公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
总部位于深圳市光明区，设有中试基地，并在沈阳市设有全资子公司，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力，未来将充分发挥在信息化领域的技术优势，以创新技术和产品持续为行业落地应用赋能，助力半导体产业协同创新发展。
2022年8月3-5日，鹏城半导体技术（深圳）有限公司亮相由DT新材料主办的第二届碳基半导体材料与器件产业发展论坛（CarbonSemi 2022）展位号A20，相约浙江宁波东港喜来登酒店，欢迎大家莅临展位参观交流！
参展展品-高真空磁控溅射仪
薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，尤其是作为一种非热式镀膜技术应用在微电子领域占据重要地位。传统的薄膜沉积工艺主要有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）等气相沉积工艺。
高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
靶材背面和溅射靶表面的结合处理
靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。
距离可调整：基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调：磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点： 安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）；占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800 mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。
控制系统：采用计算机＋PLC两级控制系统
安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-温度检测与报警保护
-冷却循环水系统的压力检测和流量
-检测与报警保护
匀气技术：工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
基片加热技术：采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。
真空度更高、抽速更快
真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。
设备详情
（一）设备结构及性能
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片可旋转、可加热
6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动
（二）工作条件
供电：～ 380V 三相五线制
功率：根据设备规模配置
冷却水循环：根据设备规模配置
水压：1.5 ～ 2.5×10^5Pa
制冷量：根据扇热量配置
水温：18～25℃
气动部件供气压力：0.5～0.7MPa
质量流量控制器供气压力：0.05～0.2MPa
工作环境温度：10℃～40℃
工作湿度：≤50%
（三）设备主要技术指标
-基片托架：根据供件大小配置。
-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。
-基片架公转速度：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。
-基片架可加热、可旋转、可升降。
-靶面到基片距离：30 ～ 140mm 可调。
-Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。
-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。
-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。
LPCVD设备
LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。
设备结构及特点
1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本
两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。
基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。
基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。
2、设备为水平管卧式结构
由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
LPCVD设备主要技术指标
成膜类型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最高温度：1200℃
恒温区长度：根据用户需要配置
恒温区控温精度：≤±0.5℃
工作压强范围：13～1330Pa
膜层不均匀性：≤±5％
基片每次装载数量：标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干
压力控制：闭环充气式控制
装片方式：手动进出样品
生产型LPCVD设备简介
设备功能
该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相关镀膜工艺。
设备结构及特点：
设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。
反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用; 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。
整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。
设备主要技术指标
成膜类型：Si3N4、Poly-Si、SiO2等
最高温度：1200℃
恒温区长度：根据用户需要配置
恒温区控温精度：≤±0.5℃
工作压强范围：13～1330Pa
膜层不均匀性：≤±5％
基片每次装载数量：100片
设备总功率：16kW
冷却水用量：2m3/h
压力控制：闭环充气式控制
装片方式：悬臂舟自动送样
LPCVD软件控制界面
热丝CVD金刚石设备
研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。
设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。例如可用于生产制造环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极。
可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
平面工作尺寸
圆形平面工作的尺寸：最大φ650mm。
矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定（如：工件长度1200mm）。
配置冷水样品台
热丝电源功率
可达300KW，1KW ～300KW可调（可根据用户工艺需求配置功率范围）
设备安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护
-设置水压检测与报警保护装置
-设置水流检测报警装置
设备构成
真空室构成
双层水冷结构，立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门，真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。
热丝
热丝材料：钽丝、或钨丝
热丝温度：1800℃～ 2500℃ 可调
样品台
可水冷、可加偏压、可旋转、可升降 ，由调速电机控制，可实现自动升降，（热丝与衬底间距在5 ～ 100mm范围内可调），要求升降平稳,上下波动不大于0.1mm。
工作气路（CVD）
工作气路根据用户工艺要求配置：
下面气体配置是某一用户的配置案例。
H2(5000sccm，浓度100%)
CH4(200sccm，浓度100%)
B2H6（50sccm，H2浓度99%）
Ar(1000sccm，浓度100%)
真空获得及测量系统
控制系统及软件
实验型 热丝CVD金刚石设备
单面热丝CVD金刚石设备
双面热丝CVD金刚石设备
生产型热丝CVD金刚石设备
可制备金刚石面积-宽650*1200mm
可制备金刚石φ 650mm
在此小编就不一一介绍了，咱们8月3日-8月5日相约宁波东港喜来登酒店了解更多。
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