点击图片查看原图
PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护
设备技术指标
| 类型 | 参数 |
|---|---|
| 样片尺寸 | ≤φ6英寸（或3片2英寸） |
| 样片加热台加热温度 | 室温～ 600℃±0.1℃ |
| 真空室极限真空 | ≤7×10-5Pa |
| 工作背景真空 | ≤8×10-4Pa |
| 设备总体漏放率 | 停泵12小时后，真空度≤10Pa |
| 样品、电极间距 | 5mm ～ 50mm在线可调 |
| 工作控制压强 | 10Pa ～ 1500Pa |
| 气体控制回路 | 根据工艺要求配置 |
| 单频电源的频率 | 13.56MHz |
| 双频电源的频率 | 13.56MHz/400KHz |
工作条件
| 类型 | 参数 |
|---|---|
| 供电 | 三相五线制 AC 380V |
| 工作环境温度 | 10℃～ 40℃ |
| 气体阀门供气压力 | 0.5MPa ～ 0.7MPa |
| 质量流量控制器输入压力 | 0.05MPa ～ 0.2MPa |
| 冷却水循环量 | 0.6m3/h 水温18℃～ 25℃ |
| 设备总功率 | 7kW |
| 设备占地面积 | 2.0m ～ 2.0m |
PECVD及太阳能薄膜电池设备
鲁ICP备2021047099号