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鹏城半导体 高真空磁控溅射镀膜机 PC-002 距离角度可调

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品牌: 鹏城半导体
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所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-05-25 14:23
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公司基本资料信息






 
 
产品详细说明
 高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。

设备关键技术特点

秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。

靶材背面和溅射靶表面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。

 

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。

距离可调整

基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

 

角度可调

磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精准调控。

 

集成一体化柜式结构

一体化柜式结构优点:

安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)

 

占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。

控制系统

采用计算机+PLC两级控制系统

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

 

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

匀气技术

工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。

真空度更高、抽速更快

真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。

设备详情

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜7、操作方式:手动、半自动、全自动

工作条件

类型  参数  备注 
 供电  ~ 380V  三相五线制
 功率  根据设备规模配置  
 冷却水循环

根据设备规模配置

 
 水压  1.5 ~ 2.5×10^5Pa  
 制冷量  根据扇热量配置  
 水温  18~25℃  
 气动部件供气压力  0.5~0.7MPa  
 质量流量控制器供气压力  0.05~0.2MPa  
 工作环境温度  10℃~40℃  
 工作湿度  ≤50%  

设备主要技术指标

-基片托架:根据供件大小配置。

-基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。

-基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。

 -Φ2 ~Φ3 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空:6X10-5Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。

 

-设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。

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