泰山玻璃纤维
道生天合
沃达重工 液压机 华征新材料 天骐机械

高真空磁控溅射镀膜机

点击图片查看原图
品牌: 鹏城半导体
参数: 见详细说明
单价: 面议
起订: 1 台
供货总量: 999 台
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-05-25 14:23
浏览次数: 51
询价
公司基本资料信息






 
 
产品详细说明
      高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。

 

设备关键技术特点

秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。

-靶材背面和溅射靶表面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。

-靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。

 

距离可调整

基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

 

 

角度可调

磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精准调控。

 

 

集成一体化柜式结构优点:

安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)

占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。

磁控溅射 600X 600-3

 

控制系统

采用计算机+PLC两级控制系统

磁控溅射 600X 600-1

 

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

磁控溅射 600X 600-6

 

匀气技术

工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。

 

基片加热技术

采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。

 

真空度更高、抽速更快

真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。

 

设备详情

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜
       7、操作方式:手动、半自动、全自动

 


      工作条件

类型  参数             备注 
 供电         ~ 380V           三相五线制
 功率        根据设备规模配置  
 冷却水循环

根据设备规模配置

 
 水压         1.5 ~ 2.5×105Pa  
 制冷量        根据散热量配置  
 水温        18~25℃  
 气动部件供气压力         0.5~0.7MPa  
 质量流量控制器供气压力        0.05~0.2MPa  
 工作环境温度        10℃~40℃  
 工作湿度        ≤50%  

 

 磁控溅射750<em></em>x750-6


       设备主要技术指标

-基片托架:根据供件大小配置。

-基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。

-基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。

 -Φ2 ~Φ3 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空:6X10-5Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。 

-设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。

  

 

关于鹏城半导体

鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

 形象

 

公司已投放市场的部分半导体设备

|物理气相沉积(PVD)系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

 

|化学气相沉积(CVD)系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

 

|超高真空系列

分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)

 

|成套设备

团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备(G1、G2.5)

 

|其他

金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备

 

|真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件

直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源(中频可调脉宽)

控制系统及软件

 

 

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。

设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

地图  

 

团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2001年 与南昌大学合作

设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。

2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。

2006年  与中国科技大学合作

设计超高温CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生长。

2007年 与兰州大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。

2015年  中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作

设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2017年

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。

-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。

2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。

2021年 MBE生产型设计。

2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。

2023年PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

0相关评论
 
更多»本企业其它产品

[ 产 品 库搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]

(c)2013-2020 复合材料应用技术网 All Rights Reserved

  鲁ICP备2021047099号

关注复合材料应用技术网微信