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热丝CVD金刚石设备

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品牌: 鹏城半导体
参数: 见详细说明
单价: 面议
起订: 1 台
供货总量: 999 台
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
所在地: 广东 深圳市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-05-25 14:23
浏览次数: 71
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公司基本资料信息






 
 
产品详细说明

鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。

热丝CVD金刚石设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。

可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片,用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。

可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层;环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极等。

可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。

热丝CVD金刚石设备图-1

 

实验型 热丝CVD金刚石设备

单面热丝CVD金刚石设备 

单面热丝CVD金刚石设备 

 

双面热丝效果图1    

 双面热丝效果图2

双面热丝CVD金刚石设备

      生产型热丝CVD金刚石设备

生产型热丝CVD-1 

可制备金刚石面积-长1200mm*宽650mm


热丝CVD金刚石设备图-1

 可制备金刚石面积-φ650mm

 

设备详情

平面工作尺寸

圆形平面工作的尺寸:最大φ650mm。

矩形工作尺寸的宽度600mm/长度可根据镀膜室的长度确定(如:工件长度1200mm)。

配置冷水样品台。

 

热丝电源功率

可达300kW, 1kW~300kW可调

(可根据用户工艺需求配置功率范围)。

 

设备安全性设计

电力系统的检测与保护

设置真空检测与报警保护功能

冷却循环水系统压力检测和流量检测与报警保护

· 设詈水压检测与报警保护装詈

· 设置水流检测报警装置

 

设备构成

真空室结构

双层水冷结构,立式圆形、立式D形、立式矩形、卧式矩形,前后开门,真空尺寸,根据工件尺寸和数量确定。

 

热丝

热丝材料:钽丝或钨丝。

热丝温度: 1800°C~2500°C可调。

 

样品台

可水冷、可加偏压、可旋转、可升降,由调速电机控制,可实现自动升降,(热丝与衬底间距在5~100mm范围内可调),要求升降平稳,上下波动不大千0.1mm。

 

工作气路(CVD)

工作气路根据用户工艺要求配置

下面气体配置是某一用户的配置案例。

H2(5000sccm,浓度100%)

CH4(200sccm,浓度100%)

B2H6(50sccm,H2浓度99%)

Ar(1000sccm,浓度100%)

真空获得及测量系统

控制系统及软件

控制系统-1 

 

关于鹏城半导体

鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。

公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

 形象

公司已投放市场的部分半导体设备

|物理气相沉积(PVD)系列

磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,激光沉积设备PLD、离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机

 

|化学气相沉积(CVD)系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD

 

|超高真空系列

分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)

 

|成套设备

团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备(G1、G2.5)

 

|其他

金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备

 

|真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件

直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源(中频可调脉宽)

控制系统及软件

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。

设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。

 地图

 

团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2001年 与南昌大学合作

设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。

2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。

2006年  与中国科技大学合作

设计超高温CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生长。

2007年 与兰州大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。

2015年  中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作

设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2017年

-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。

-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。

2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。

2021年 MBE生产型设计。

2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。

2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。


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