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鹏城半导体参加第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-10-10  来源:hitsemi  作者:hitsemi  浏览次数:9
核心提示:鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。 公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。 公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨
 第十五届中国微纳电子技术交流学术研讨会
时间:2022年10月28-30日
 
地点:厦门君泰酒店 
 
鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。
公司核心业务是半导体材料工艺和装备的研发设计、生产制造。
公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。
公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市光明区,设有中试基地,并在沈阳市设有全资子公司,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。
 
产 品 展 示
Product presentation
金刚石薄膜制备设备
热丝CVD金刚石设备
研发设计制造了热丝CVD金刚石设备,分为实验型设备和生产型设备两类。
设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。例如可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片,用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉;可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层;环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极等。
可用于平面工件的金刚石薄膜制备,也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。 
分类:单面热丝CVD金刚石设备/双面热丝CVD金刚石设备
生产型热丝CVD金刚石设备:可制备金刚石面积-宽650*1200mm/可制备金刚石φ 650mm

高真空磁控溅射仪
 
高真空磁控溅射仪(磁控溅射镀膜机)是用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
 
分子束外延薄膜生长设备(MBE)
 
该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺,实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。
分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境,是在理想的环境下进行薄膜外延生长,它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备,分实验型和生产型两种 ,配置合理,结构简单,操作方便,技术先进,性能可靠,用途多,实用性强,价格相对较低,可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
高真空电子束蒸发镀膜机
 
该设备是在高真空条件下,采用电子束轰击材料加热蒸发的方法,在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等;可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜;可镀各种高熔点材料。
可用于生产、科学实验及教学,可根据用户要求专门订制。
可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。
高真空电阻热蒸发镀膜机
 

该设备采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验,可根据用户要求专门订制;可用于材料的物理和化学研究;可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。

 

LPCVD设备 

LPCVD设备是在低压高温的条件下,通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜)。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。

 

PECVD设备 
主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备......

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