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高真空磁控溅射镀膜技术【地震资讯】

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-09-07  来源:hitsemi  作者:hitsemi  浏览次数:5
核心提示:真空镀膜技术作为一种产生特膜层的技术,在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式:即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。在这里主要讲下磁控溅射镀膜。
 

真空镀膜技术作为一种产生特膜层的技术,在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式:即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。在这里主要讲下磁控溅射镀膜。

磁控溅射技术在市场中应用非常的广泛,各行各业物件膜层镀膜,大多数都是采用磁控溅射技术,磁控溅射技术在真空行业也是非常的受欢迎和追捧。高真空磁控溅射镀膜是属于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种,一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料;适应用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜;且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。 

磁控溅射技术目前得以广泛的应用 ,是由该技术有别于其它镀膜方法特点所决定的。其特点可归纳为:

靶材背面和溅射靶表面的结合处理

-靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。 

-靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。

-增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。

距离可调整

基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

角度可调

磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精准调控。

集成一体化柜式结构

一体化柜式结构优点:

安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件)

占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。

控制系统

采用计算机+PLC两级控制系统

安全性

-电力系统的检测与保护

-设置真空检测与报警保护功能

-温度检测与报警保护

-冷却循环水系统的压力检测和流量

-检测与报警保护

匀气技术

工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。

基片加热技术

采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。

生产型磁控溅射与离子束镀膜机

生产型磁控溅射与离子束多弧度镀膜机

真空度更高、抽速更快

真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。

综上所述便是磁控溅射关键技术特点。

设备结构及性能

1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱

2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装

4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容

5、基片可旋转、可加热

6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜7、操作方式:手动、半自动、全自动

工作条件

供电       ~ 380V      三相五线制

功率       根据设备规模配置    

冷却水循环    根据设备规模配置

水压       1.5 ~ 2.5×10^5Pa

制冷量    根据扇热量配置 

水温       18~25℃   

气动部件供气压力       0.5~0.7MPa     

质量流量控制器供气压力    0.05~0.2MPa   

工作环境温度       10℃~40℃

工作湿度       ≤50%  

设备主要技术指标

-基片托架:根据供件大小配置。

-基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。

-基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。

-基片架可加热、可旋转、可升降。

-靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。

 -Φ2 ~Φ3 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。

-镀膜室的极限真空:6X10-5Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。

-设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。 

 
 
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